Toshiba изучила изготовление 15-нм флэш-памяти
Организация Toshiba назвала, что готова начать выпуск флэш-памяти вида MLC NAND насыщенностью 128 Гбит, которая сделана по 15-нм техпроцессу. Изготовитель рассказывает, что скорость записи свежих микросхем сходится с 19-нм чипами, но скорость чтения повысилась в 1,3 раза, достигнув 533 Mbit/с.
Стоковое изготовление микросхем стартует в середине мая на автозаводе Fab 5 в Йоккаити (Япония). В начале июня Toshiba рассчитывает организовать выпуск 15-нм памяти вида TLC NAND. Также, организация собирается посоветовать контроллеры для вделываемой NAND-памяти для твердотельных накопителей, телефонов и микропланшетов.